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赛晶携自研IGBT新品 亮相PCIM Asia 2020
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文章来源:电网技术网 添加人:admin   添加时间:2020-11-20

  2020年11月16-18日,PCIM Asia 2020 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会在上海隆重举行,是PCIMEurope在亚洲地区的姐妹展,是电力电子元器件领域国内影响力最大的行业展会。
  
  本次展会上,赛晶携自主研发的1200V/200A“i20 芯片”和1200V/600A“ED-Type 模块”两款IGBT新品亮相展会。

  本次展出的1200V/200A “i20 芯片”,采用精细沟槽、窄台面、优化N型增强层、短沟道、3D结构、优化P+、优化的激光退火缓冲区和阳极,以及超薄N-基底等一系列行业前沿设计,从而带来了卓越的性能表现。此外,以“i20 芯片”为核心的1200V/600A “ED-Type模块”,采用了国际标准的原材料和制造工艺,并采用独特的直线布局,从而实现国际一流水平的产品可靠性和性能表现。
  
  因此,在本次展会上,赛晶“i20 IGBT 芯片”和“ED-Type模块 ”一经亮相,便引起现场专家、观众、媒体的广泛关注和热烈反响。

  不仅如此,“数字式IGBT驱动器”、“层叠母排”等功率半导体配套器件,以及“阻抗测量”、“固态开关”等国际前沿的创新技术,也受到了高度关注和赞誉。


  在海外巨头林立的PCIM电力电子器件展上,赛晶首次公开展示了自主研发的IGBT芯片和模块产品,以行业创新的设计理念、国际一流的产品品质,赢得业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。
  
  赛晶将继续坚持“以科技创新作为第一驱动力”的发展理念,秉持“务实、认真”的科技工匠精神,助力中国功率半导体技术的进步!

 

 

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